Piezas de tungsteno y molibdeno para implantación de iones
Piezas de tungsteno y molibdeno para implantación de iones
Proporcionamos repuestos de tungsteno y molibdeno implantados con iones de alta precisión. Nuestros productos tienen un tamaño de partícula fino, una densidad relativa superior al 99 %, propiedades mecánicas de alta temperatura más altas que los materiales ordinarios de tungsteno-molibdeno y una vida útil significativamente más larga.
Estos componentes de implantación de iones incluyen:
•Cilindro de blindaje catódico de emisión de electrones.
•tablero de lanzamiento.
•Polo central.
•Placa de filamento interruptora, etc.
Información sobre piezas de implantación de iones
| Nombre de los productos | Piezas de implantación de iones |
| Material | Tungsteno puro (W) / Molibdeno puro (Mo) |
| Pureza | 99,95% |
| Densidad | Ancho: 19,3 g/cm³ / Mes: 10,2 g/cm³ |
| Punto de fusión | Ancho: 3410 ℃ / Mes: 2620 ℃ |
| Punto de ebullición | Ancho: 5660 ℃ / Mes: 5560 ℃ |
| Nota: Procesamiento según dibujos. | |
Implantación de iones
La implantación de iones es un proceso importante en la producción de semiconductores. Los sistemas de implante introducen átomos extraños en la oblea para cambiar las propiedades del material, como la conductividad eléctrica o la estructura cristalina. La trayectoria del haz de iones es el centro del sistema implantador. Allí, los iones se crean, concentran y aceleran hacia la oblea a velocidades extremadamente altas.
Cuando la fuente de iones se convierte en iones de plasma, se crean temperaturas de funcionamiento superiores a 2000 °C. Cuando se expulsa el haz de iones, también se produce una gran cantidad de energía cinética iónica. El metal generalmente arde y se funde rápidamente. Por lo tanto, se requiere metal noble con densidades de masa más altas para mantener la dirección de eyección del haz de iones y aumentar la durabilidad de los componentes. El tungsteno y el molibdeno son el material ideal.
¿Por qué elegir materiales de tungsteno y molibdeno para los componentes de implantación de iones?
•Buena resistencia a la corrosión•Alta resistencia del material•Buena conductividad térmica
Garantizan que los iones se generen de manera eficiente y se enfoquen con precisión en la oblea en la trayectoria del haz y estén libres de impurezas.
Nuestras ventajas
•Materias primas de alta calidad
•Tecnología de producción avanzada
•Mecanizado CNC de precisión
•Estricto control de calidad
•Tiempo de entrega más corto
Optimizamos en base al proceso de producción original de materiales de tungsteno y molibdeno. Mediante el refinamiento del grano, el tratamiento de aleación, la sinterización al vacío y la densificación de la sinterización por prensado isostático en caliente, el refinamiento secundario del grano y la tecnología de laminación controlada, se mejoran significativamente la resistencia a altas temperaturas, la resistencia a la fluencia y la vida útil de los materiales de tungsteno y molibdeno.
Tecnología de implantación de iones semiconductores
La implantación de iones es un proceso comúnmente utilizado para dopar y modificar materiales semiconductores. La aplicación de la tecnología de implantación de iones ha promovido en gran medida el desarrollo de dispositivos semiconductores y la industria de los circuitos integrados. Haciendo así que la producción de circuitos integrados entre en la era de la gran escala y la ultra gran escala (ULSI).
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